企业简介
映瑞光电科技（上海）有限公司 main business:开发、设计、测试及生产发光二级管、衬底材料及其相关配套零部件，销售公司自产产品；上述同类产品的批发、佣金代理及进出口业务，并提供相关配套服务。【依法须经批准的项目，经相关部门批准后方可开展经营活动】 and other products. Company respected "practical, hard work, responsibility" spirit of enterprise, and to integrity, win-win, creating business ideas, to create a good business environment, with a new management model, perfect technology, attentive service, excellent quality of basic survival, we always adhere to customer first intentions to serve customers, persist in using their services to impress clients.
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映瑞光电科技（上海）有限公司的工商信息
- 310115400262113
- 91310115560133557L
- 存续（在营、开业、在册）
- 有限责任公司(中外合作)
- 2010年08月18日
- 蔡为民
- 7848.310000
- 2010年08月18日 至 2040年08月17日
- 浦东新区市场监管局
- 2010年08月18日
- 上海市临港产业区新元南路555号金融中心211室
- 开发、设计、测试及生产发光二级管、衬底材料及其相关配套零部件，销售公司自产产品；上述同类产品的批发、佣金代理及进出口业务，并提供相关配套服务。【依法须经批准的项目，经相关部门批准后方可开展经营活动】
映瑞光电科技（上海）有限公司的专利信息
| 序号 | 公布号 | 发明名称 | 公布日期 | 摘要 |
| 1 | CN105977137A | 一种用于激光剥离外延层的外延衬底处理方法 | 2016.09.28 | 一种用于激光剥离外延层的外延衬底处理方法，在外延衬底进行外延生长外延层之前，采用光滑处理方法对外延衬 |
| 2 | CN106159044A | LED芯片结构及其制作方法 | 2016.11.23 | 本发明提供一种LED芯片结构及其制作方法，其中制作方法包括：提供包括正面、背面的衬底；依次形成N型半 |
| 3 | CN106601876A | 一种LED芯片结构及其制作方法 | 2017.04.26 | 本发明提供一种LED芯片结构的制作方法，包括以下步骤：S1：提供一蓝宝石衬底；S2：采用激光从所述蓝 |
| 4 | CN106531615A | 一种提高LED芯片发光效率的制备方法 | 2017.03.22 | 本发明提供一种提高LED芯片发光效率的制备方法，包括：首先，提供LED外延片，将所述LED外延片放置 |
| 5 | CN103208567B | 一种叠层式LED芯片及其制造方法 | 2017.03.08 | 本发明揭露了一种叠层式LED芯片的结构及其制造方法，所述叠层式LED芯片的制造方法，包括：提供衬底； |
| 6 | CN104377282B | 提高LED芯片电流扩展的方法及LED芯片 | 2017.02.22 | 本发明提出了一种提高LED芯片电流扩展的方法及LED芯片，在高扩展透明导电层中形成多个孔洞，孔洞位于 |
| 7 | CN106449914A | 一种GaN基发光二极管外延结构及其制备方法 | 2017.02.22 | 一种GaN基发光二极管外延结构及其制备方法，通过在多量子阱发光层交替生长AlN材料和GaN材料而得到 |
| 8 | CN106449932A | 一种垂直结构发光二极管及其制造方法 | 2017.02.22 | 本发明提供一种垂直结构发光二极管及其制造方法，该垂直结构发光二极管包括：键合衬底；金属键合层；金属阻 |
| 9 | CN106449917A | 发光二极管及其形成方法 | 2017.02.22 | 本发明提供一种发光二极管及其形成方法，其中方法包括：提供衬底；在所述衬底上形成第一电极层；在所述第一 |
| 10 | CN106449955A | 一种垂直结构发光二极管及其制造方法 | 2017.02.22 | 本发明提供一种垂直结构发光二极管及其制造方法，该垂直结构发光二极管包括：键合衬底；金属键合层，包括依 |
| 11 | CN106410009A | 一种发光二极管及其制作方法 | 2017.02.15 | 本发明提供一种发光二极管及其制作方法，该发光二极管包括：P型材料层；N型材料层；活性层，设置于所述P |
| 12 | CN104218134B | 一种具有特殊粗化形貌的LED垂直芯片结构及其制备方法 | 2017.02.15 | 本发明提供了一种提高垂直结构LED发光效率的方法。首先，提供一种具有特殊粗化形貌的LED垂直芯片结构 |
| 13 | CN106409997A | LED芯片及其形成方法 | 2017.02.15 | 一种LED芯片及其形成方法，方法包括：提供第一衬底，第一衬底上有由下到上包括第一半导体层、有源层和第 |
| 14 | CN104064642B | 垂直型LED的制作方法 | 2017.01.25 | 本发明提出了一种垂直型LED的制作方法，刻蚀现有的未掺杂层作为电流阻挡层，无需额外形成绝缘介质层，减 |
| 15 | CN106340572A | 发光二极管及其形成方法 | 2017.01.18 | 本发明提供一种发光二极管及其形成方法，其中方法包括：提供衬底；在所述衬底上形成第一电极层；在所述第一 |
| 16 | CN304016355S | LED 芯片 | 2017.01.18 | 1．本外观设计产品的名称：LED 芯片。2．本外观设计产品的用途：本外观设计产品用于提供照明。3．本 |
| 17 | CN304016356S | LED 芯片 | 2017.01.18 | 1．本外观设计产品的名称：LED芯片。2．本外观设计产品的用途：本外观设计产品用于提供照明。3．本外 |
| 18 | CN104157749B | ITO膜层的制备方法及LED芯片的制备方法 | 2017.01.18 | 本发明提出一种ITO膜层的制备方法及LED芯片的制备方法，采用第一磁控溅射技术形成ITO保护层，由于 |
| 19 | CN205900579U | 垂直型发光二极管 | 2017.01.18 | 一种垂直型发光二极管，包括：堆叠层，包括N型半导体层、量子阱层、P型半导体层和导电层，导电层与P型半 |
| 20 | CN106299072A | 发光二极管芯片 | 2017.01.04 | 一种发光二极管芯片，包括：操作衬底；位于操作衬底功能面上的第一导电层；位于第一导电层上的管芯，包括第 |
| 21 | CN106299095A | 一种高压倒装LED芯片及其制作方法 | 2017.01.04 | 本发明提供一种高压倒装LED芯片及其制作方法，所述高压倒装LED芯片中，P-N电极连接金属块填充进相 |
| 22 | CN106299073A | 发光二极管晶圆及其形成方法 | 2017.01.04 | 一种发光二极管晶圆及其形成方法，本发明技术方案通过在所述操作衬底底面上形成第一电极层；在切割道相交位 |
| 23 | CN106206902A | 发光二极管芯片 | 2016.12.07 | 一种发光二极管芯片，包括：操作衬底；第一导电层；管芯，包括第一半导体层和第二半导体层；与第一导电层电 |
| 24 | CN106159057A | LED芯片及其制作方法 | 2016.11.23 | 本发明提供一种LED芯片及其制作方法，制作方法包括：提供衬底、N型半导体层、有源层和P型半导体层；形 |
| 25 | CN106159045A | 倒装LED芯片及其制造方法 | 2016.11.23 | 一种倒装LED芯片及其制造方法。其中，所述制作方法包括：在衬底上沉积外延叠层，外延叠层包括第一半导体 |
| 26 | CN106159043A | 倒装LED芯片及其形成方法 | 2016.11.23 | 本发明提供一种倒装LED芯片及其形成方法，形成方法包括：提供衬底；形成N型半导体层、有源层和P型半导 |
| 27 | CN303913898S | LED芯片 | 2016.11.16 | 1.本外观设计产品的名称：LED芯片。2.本外观设计产品的用途：本外观设计产品用于提供照明。3.本外 |
| 28 | CN106098899A | 一种具有高可靠性的LED芯片 | 2016.11.09 | 本发明涉及一种LED芯片，在具有较高的深宽比的沟槽内填充具有高绝缘性能、高韧性、与GaN层具有高粘结 |
| 29 | CN105987315A | 高功率环状发光二极管灯具 | 2016.10.05 | 本发明公开一种高功率环状发光二极管灯具，其包含环状壳体、多个LED光源模块、至少一个LED电源模块以 |
| 30 | CN105932124A | 一种LED外延结构及其制备方法 | 2016.09.07 | 本发明涉及一种LED外延结构及其制备方法，在衬底上生长第一类型外延层；在第一类型外延层上生长应力释放 |
| 31 | CN104064653B | 发光二极管、封装基板结构及封装方法 | 2016.08.31 | 本发明提出了一种发光二极管、封装基板结构及封装方法，将发光二极管的P型电极和N型电极的连接端设置在同 |
| 32 | CN105914266A | 一种GaN基发光二极管的制备方法 | 2016.08.31 | 本发明公开了一种GaN基发光二极管的制备方法，包括：提供一衬底；在所述衬底上生长N型GaN层；在所述 |
| 33 | CN105914276A | 一种发光二级管的外延结构及其制备方法 | 2016.08.31 | 本发明公开一种发光二级管的外延结构，该外延结构生长在衬底上，该外延结构由靠近衬底一端起依次包含：低温 |
| 34 | CN105870264A | 具有倒金字塔型侧壁的GaN基LED垂直芯片结构及制备方法 | 2016.08.17 | 本发明提供一种具有倒金字塔型侧壁的GaN基LED垂直芯片结构及制备方法，该结构包括：键合衬底；P焊盘 |
| 35 | CN105810799A | 一种提高晶圆级白光LED芯片亮度的制备方法及其结构 | 2016.07.27 | 本发明提供一种提高晶圆级白光LED芯片亮度的制备方法及其结构，包括如下步骤：提供一已实现白光的LED |
| 36 | CN105789386A | 一种提高垂直LED芯片电流扩展的制作方法 | 2016.07.20 | 本发明提供一种提高垂直LED芯片电流扩展的制作方法，包括：首先提供剥离生长衬底后暴露出N型GaN层的 |
| 37 | CN105782780A | 一体整合式高功率发光二极管管式灯具 | 2016.07.20 | 本发明公开一种一体整合式高功率发光二极管(LED)管式灯具，其包含壳体、多个高功率LED光源模块、多 |
| 38 | CN105789394A | 一种GaN基LED外延结构及其制备方法 | 2016.07.20 | 本发明提供一种GaN基LED外延结构及其制备方法，包括：提供一衬底，在衬底上生长第一类型外延层；在第 |
| 39 | CN105742417A | 一种垂直LED芯片结构及其制备方法 | 2016.07.06 | 本发明提供一种垂直LED芯片制备方法包括：1）提供生长衬底，于生长衬底上形成外延层，2）于外延层上依 |
| 40 | CN105742445A | 一种垂直LED芯片结构及其制备方法 | 2016.07.06 | 本发明提供一种垂直LED 芯片结构及其制备方法，所述制备方法包括：1）提供生长衬底，于所述生长衬底上 |
| 41 | CN105720140A | GaN基LED垂直芯片结构及制备方法 | 2016.06.29 | 本发明提供一种GaN基LED垂直芯片结构及制备方法，该结构包括：键合衬底；P焊盘；具有倾斜侧壁的倒金 |
| 42 | CN105702814A | 一种光电参数测试不合格的白光LED芯片重加工的方法 | 2016.06.22 | 本发明提供一种光电参数测试不合格的白光LED芯片重加工的方法，包括如下步骤：提供一光电参数测试不合格 |
| 43 | CN105655453A | 一种蓝宝石衬底回收再利用方法 | 2016.06.08 | 本发明针对蓝宝石衬底回收再利用的现有技术存在的回收成本较高、处理过程复杂问题，提供了一种蓝宝石衬底回 |
| 44 | CN105633237A | 一种垂直LED芯片 | 2016.06.01 | 本发明提供一种垂直LED芯片，包括：表面具有N型GaN层的多边形垂直LED芯片；电极，形成于所述N型 |
| 45 | CN105609596A | 具有电流阻挡结构的LED垂直芯片及其制备方法 | 2016.05.25 | 本发明提供一种具有电流阻挡结构的LED垂直芯片及其制备方法，包括：提供生长衬底，在生长衬底上依次生长 |
| 46 | CN102354699B | 高压氮化物LED器件及其制造方法 | 2016.05.25 | 本发明提出一种高压氮化物LED器件的制造方法，包括如下步骤：提供一衬底，在衬底上依次形成有N型氮化物 |
| 47 | CN105552180A | 一种新型高压LED的制作方法 | 2016.05.04 | 本发明提供一种新型高压LED的制作方法，所述制作方法包括：在生长衬底上进行外延层沉积；形成隔离沟槽； |
| 48 | CN105514230A | GaN基LED垂直芯片结构及其制备方法 | 2016.04.20 | 本发明提供一种GaN基LED垂直芯片结构及其制备方法，该结构包括：键合衬底；刻蚀阻挡层，对应切割道区 |
| 49 | CN103066170B | 一种纳米级图形化衬底的制造方法 | 2016.03.30 | 本发明提供一种纳米级图形化衬底的制造方法，包括：提供衬底，在所述衬底上形成导电层；在所述导电层上使用 |
| 50 | CN103022281B | 一种纳米级图形化衬底的制造方法 | 2016.03.30 | 本发明提供一种纳米级图形化衬底的制造方法，包括：提供衬底，在所述衬底上形成导电层；在所述导电层上使用 |
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